Tootja Toote Number:
FDMA8878
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDMA8878-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventuur:
3733 tk Uus Originaal Laos
12848083
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDMA8878 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 10A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
720 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.4W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
6-MicroFET (2x2)
Pakett / ümbris
6-WDFN Exposed Pad
Põhitoote number
FDMA88
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDMA8878TR
FDMA8878DKR
FDMA8878CT
FDMA8878-DG
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
NTB22N06T4
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
FCPF165N65S3R0L
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
