FDI040N06

Tootja Toote Number:

FDI040N06

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDI040N06-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12850306

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDI040N06 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

120A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

133 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

8235 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

231W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-262 (I2PAK)

Pakett / ümbris

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Põhitoote number

FDI040

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

FDI030N06

TOOTJA

onsemi

KOGUS SAADAVAL

0

DiGi OSANUMBER

FDI030N06-DG

ÜHIKPRICE

2.27

ASENDAMISE TüÜP

Direct

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQD18N20V2TM

MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOI4C60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

onsemi

FDD6680A

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

onsemi

FDU8874

MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK