Tootja Toote Number:
FDFS2P753AZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDFS2P753AZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
12847471
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDFS2P753AZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
115mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
455 pF @ 15 V
Funktsioon FET
Schottky Diode (Isolated)
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
FDFS2
Lisainfo
Muud nimed
FDFS2P753AZDKR
FDFS2P753AZCT
FDFS2P753AZTR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FDC658AP
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
915
DiGi OSANUMBER
FDC658AP-DG
ÜHIKPRICE
0.16
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTMS4503NR2G
MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
FQP6N80
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
FDD20AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA