Tootja Toote Number:
FDD86113LZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDD86113LZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12926583
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDD86113LZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
104mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
285 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FDD86113
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDD86113LZFSDKR
FDD86113LZFSCT
FDD86113LZFSTR
FDD86113LZ-DG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMN10H100SK3-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
4328
DiGi OSANUMBER
DMN10H100SK3-13-DG
ÜHIKPRICE
0.23
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STD15NF10T4
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
2040
DiGi OSANUMBER
STD15NF10T4-DG
ÜHIKPRICE
0.48
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
JANTX2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
AOT2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
JAN2N7227
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA