FDD8580

Tootja Toote Number:

FDD8580

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDD8580-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 20 V 35A (Tc) 49.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12837630

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDD8580 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

20 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

35A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

9mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

27 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1445 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

49.5W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-252AA

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

FDD858

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDD8580TR

FDD8580DKR

FDD8580CT

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

HUFA75309D3

MOSFET N-CH 55V 19A IPAK

onsemi

FDMC15N06

MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

onsemi

2SK4065-DL-1EX

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2

onsemi

FDS6572A

MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC