FDD6530A

Tootja Toote Number:

FDD6530A

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDD6530A-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 20 V 21A (Ta) 3.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12851050

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDD6530A Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

20 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

21A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

2.5V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

32mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

710 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3.3W (Ta), 33W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-252AA

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

FDD653

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDD6530ADKR

FDD6530ATR

FDD6530ACT

FDD6530A-DG

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMC86260ET150

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

onsemi

FDD5810-F085

MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK

onsemi

HUF76419S3ST

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

HUF75229P3

MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3