Tootja Toote Number:
FDB8880
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDB8880-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12848707
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDB8880 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 54A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1240 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
55W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FDB888
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDB8880-DG
FDB8880DKR
FDB8880TR
FDB8880CT
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
PSMN4R3-30BL,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
9945
DiGi OSANUMBER
PSMN4R3-30BL,118-DG
ÜHIKPRICE
0.58
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
PSMN017-30BL,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
1868
DiGi OSANUMBER
PSMN017-30BL,118-DG
ÜHIKPRICE
0.37
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
AUIRFR8405TRL
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
FDP120N10
MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3