Tootja Toote Number:
FDB8832
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDB8832-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 34A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12846189
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDB8832 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
34A (Ta), 80A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
11400 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FDB883
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2832-FDB8832TR
FDB8832CT
FDB8832DKR
FDB8832TR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SUM90N03-2M2P-E3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
1612
DiGi OSANUMBER
SUM90N03-2M2P-E3-DG
ÜHIKPRICE
1.59
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STB80NF03L-04T4
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
691
DiGi OSANUMBER
STB80NF03L-04T4-DG
ÜHIKPRICE
1.90
ASENDAMISE TüÜP
Upgrade
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOTF4126
MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F
AOD474A
MOSFET N-CH 75V 2.5A/10A TO252
AO4425L
MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
