Tootja Toote Number:
FDA79N15
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDA79N15-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 150 V 79A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventuur:
12851068
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDA79N15 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UniFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
150 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
79A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
30mOhm @ 39.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
417W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PN
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
FDA79
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFP4321PBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
5739
DiGi OSANUMBER
IRFP4321PBF-DG
ÜHIKPRICE
2.19
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
2SK1317-E
TOOTJA
Renesas Electronics Corporation
KOGUS SAADAVAL
5608
DiGi OSANUMBER
2SK1317-E-DG
ÜHIKPRICE
3.29
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTQ96N15P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTQ96N15P-DG
ÜHIKPRICE
4.21
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDC642P-F085
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
MCH6421-TL-W
MOSFET N-CH 20V 5.5A MCPH6
IRFP450B
MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
