Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FCP165N65S3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCP165N65S3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12848638
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCP165N65S3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
SuperFET® III
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
154W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FCP165
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FCP165N65S3
Tehnilised lehed
FCP165N65S3
HTML andmeleht
FCP165N65S3-DG
Lisainfo
Muud nimed
FCP165N65S3OS
FCP165N65S3-DG
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SPP24N60C3XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
129
DiGi OSANUMBER
SPP24N60C3XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
2.95
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPP60R180P7XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IPP60R180P7XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.05
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP24NM60N
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
486
DiGi OSANUMBER
STP24NM60N-DG
ÜHIKPRICE
1.39
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SIHP22N60EL-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
SIHP22N60EL-GE3-DG
ÜHIKPRICE
1.92
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCP165N65S3R0
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
2115
DiGi OSANUMBER
FCP165N65S3R0-DG
ÜHIKPRICE
2.00
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQA90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
AON4420
MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
NTVS3141PT2G
MOSFET P-CH 20V CSP-6
NDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC