Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FCP11N60F
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCP11N60F-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
996 tk Uus Originaal Laos
12851177
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCP11N60F Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
SuperFET™
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
125W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FCP11
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FCP11N60F
Lisainfo
Muud nimed
FCP11N60F-DG
FCP11N60FFS
1990-FCP11N60F
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SIHP15N60E-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
16573
DiGi OSANUMBER
SIHP15N60E-GE3-DG
ÜHIKPRICE
1.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTP12N65X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTP12N65X2-DG
ÜHIKPRICE
2.28
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SPP07N60C3XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
SPP07N60C3XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.02
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP15N65M5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
988
DiGi OSANUMBER
STP15N65M5-DG
ÜHIKPRICE
1.09
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP13NM60ND
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
87
DiGi OSANUMBER
STP13NM60ND-DG
ÜHIKPRICE
1.64
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HUFA76609D3ST_F085
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
FDP8870-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
FCI7N60
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC