Tootja Toote Number:
FCP104N60
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCP104N60-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
328 tk Uus Originaal Laos
12839139
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCP104N60 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
SuperFET® II
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
37A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4165 pF @ 380 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
357W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FCP104
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FCP104N60OS
FCP104N60-DG
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TK25E60X,S1X
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
13
DiGi OSANUMBER
TK25E60X,S1X-DG
ÜHIKPRICE
1.80
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP33N60DM2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
3750
DiGi OSANUMBER
STP33N60DM2-DG
ÜHIKPRICE
2.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP34N65M5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
241
DiGi OSANUMBER
STP34N65M5-DG
ÜHIKPRICE
2.82
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQD5N60CTM
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDP80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQP13N06
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3