Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FCP104N60
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCP104N60-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
328 tk Uus Originaal Laos
12839139
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCP104N60 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
SuperFET® II
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
37A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4165 pF @ 380 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
357W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FCP104
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FCP104N60
Tehnilised lehed
FCP104N60
HTML andmeleht
FCP104N60-DG
Lisainfo
Muud nimed
FCP104N60OS
FCP104N60-DG
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TK25E60X,S1X
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
13
DiGi OSANUMBER
TK25E60X,S1X-DG
ÜHIKPRICE
1.80
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP33N60DM2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
3750
DiGi OSANUMBER
STP33N60DM2-DG
ÜHIKPRICE
2.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP34N65M5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
241
DiGi OSANUMBER
STP34N65M5-DG
ÜHIKPRICE
2.82
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQD5N60CTM
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDP80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQP13N06
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK