Tootja Toote Number:
FCMT099N65S3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCMT099N65S3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88
Inventuur:
12849071
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCMT099N65S3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
SuperFET® III
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2270 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
227W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
Power88
Pakett / ümbris
4-PowerTSFN
Põhitoote number
FCMT099
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
488-FCMT099N65S3CT
488-FCMT099N65S3TR
FCMT099N65S3-DG
488-FCMT099N65S3DKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPL60R104C7AUMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
8950
DiGi OSANUMBER
IPL60R104C7AUMA1-DG
ÜHIKPRICE
2.79
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO3409L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
FQP65N06
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
HUFA75645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
