Tootja Toote Number:
FCA36N60NF
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCA36N60NF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventuur:
12850149
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCA36N60NF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
FRFET®, SupreMOS®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
34.9A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
95mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
312W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PN
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
FCA36N60
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
488-FCA36N60NF
Standardpakett
450
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TK31J60W,S1VQ
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
25
DiGi OSANUMBER
TK31J60W,S1VQ-DG
ÜHIKPRICE
4.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
TK31J60W5,S1VQ
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
25
DiGi OSANUMBER
TK31J60W5,S1VQ-DG
ÜHIKPRICE
4.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
