FCA16N60_F109

Tootja Toote Number:

FCA16N60_F109

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FCA16N60_F109-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 600 V 16A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12849731

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FCA16N60_F109 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

SuperFET™

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

600 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

16A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

260mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2250 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

167W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3PN

Pakett / ümbris

TO-3P-3, SC-65-3

Põhitoote number

FCA16

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

FCA16N60_F109-DG

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

IXFQ28N60P3

TOOTJA

IXYS

KOGUS SAADAVAL

273

DiGi OSANUMBER

IXFQ28N60P3-DG

ÜHIKPRICE

3.26

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

alpha-and-omega-semiconductor

AOD5N40

MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252

FDMT1D3N08B

MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88

onsemi

FQD20N06LTM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

onsemi

FCPF290N80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220F