Tootja Toote Number:
DTD113E
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
DTD113E-DG
Kirjeldus:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventuur:
25000 tk Uus Originaal Laos
12934311
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DTD113E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik, eelsoojendatud bipolaarsed transistorrid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN - Pre-Biased
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100 mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Takisti - alus (R1)
1 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
1 kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
3 @ 5mA, 10V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Võimsus - Max
350 mW
Klassi
-
Kvalifikatsiooni
-
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tarnija seadme pakett
TO-92 (TO-226)
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Standardpakett
11,539
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
