Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
2SD734F
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SD734F-DG
Kirjeldus:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Inventuur:
39500 tk Uus Originaal Laos
12976780
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SD734F Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
700 mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
20 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 500mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 50mA, 2V
Võimsus - Max
600 mW
Sagedus - üleminek
250MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tarnija seadme pakett
3-NP
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SD734F
Standardpakett
2,219
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
MJ15020
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 25