Tootja Toote Number:
2SD1801S-E
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SD1801S-E-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 50V 2A TP
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 800 mW Through Hole TP
Inventuur:
12836831
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SD1801S-E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
2 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
400mV @ 50mA, 1A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 100mA, 2V
Võimsus - Max
800 mW
Sagedus - üleminek
150MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tarnija seadme pakett
TP
Põhitoote number
2SD1801
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
ONSONS2SD1801S-E
2SD1801S-EOS
2156-2SD1801S-E
2832-2SD1801S-E
2SD1801S-E-DG
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SD1803S-H
TRANS NPN 50V 5A TP
KSH31CTF
TRANS NPN 100V 3A DPAK
2SC5706-E
TRANS NPN 50V 5A TP
