Tootja Toote Number:
2SD1347T-AE
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SD1347T-AE-DG
Kirjeldus:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventuur:
1000 tk Uus Originaal Laos
12941219
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SD1347T-AE Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
3 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
500mV @ 100mA, 2A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Võimsus - Max
1 W
Sagedus - üleminek
150MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Klassi
-
Kvalifikatsiooni
-
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tarnija seadme pakett
3-MP
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SD1347T-AE
ONSONS2SD1347T-AE
Standardpakett
683
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
Not applicable
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HCPL4502SDM
OPTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTO
2SC5310-6-TB-E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
BC859BMTF
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
