Tootja Toote Number:
2SD1145F-AE
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SD1145F-AE-DG
Kirjeldus:
BIP NPN 5A 20V
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventuur:
16000 tk Uus Originaal Laos
12933880
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SD1145F-AE Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
5 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
20 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
500mV @ 60mA, 3A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 500mA, 2V
Võimsus - Max
900 mW
Sagedus - üleminek
120MHz
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
-
Kvalifikatsiooni
-
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tarnija seadme pakett
3-MP
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Standardpakett
1,401
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
Not applicable
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
