Tootja Toote Number:
2SC5706-P-E
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SC5706-P-E-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 100V 5A TP
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
Inventuur:
12835898
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SC5706-P-E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
5 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
240mV @ 100mA, 2A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 500mA, 2V
Võimsus - Max
800 mW
Sagedus - üleminek
400MHz
Töötemperatuur
-
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tarnija seadme pakett
TP
Põhitoote number
2SC5706
Lisainfo
Muud nimed
ONSONS2SC5706-P-E
2156-2SC5706-P-E-ON
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SD1685F
TRANS NPN 20V 5A TO126ML
50A02SS-TL-E
TRANS PNP 50V 0.4A 3SSFP
BC237A
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
