Tootja Toote Number:
2SC3256R
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SC3256R-DG
Kirjeldus:
NPN SILICON TRANSISTOR
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 100MHz 80 W Through Hole TO-3PB
Inventuur:
2210 tk Uus Originaal Laos
12967459
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SC3256R Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
15 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
60 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
400mV @ 375mA, 7.5A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1A, 2V
Võimsus - Max
80 W
Sagedus - üleminek
100MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Klassi
-
Kvalifikatsiooni
-
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Tarnija seadme pakett
TO-3PB
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
ONSONS2SC3256R
2156-2SC3256R
Standardpakett
231
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
EC3101C-TL
BIP PNP 0.15A 50V
JANTXV2N5667
TRANS NPN 300V 5A TO5
BCX52-16E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
