Tootja Toote Number:
2SB1216T-E
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SB1216T-E-DG
Kirjeldus:
TRANS PNP 100V 4A TP
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventuur:
12837039
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SB1216T-E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
PNP
Praegune - kollektor (Ic) (max)
4 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Võimsus - Max
1 W
Sagedus - üleminek
130MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tarnija seadme pakett
TP
Põhitoote number
2SB1216
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternatiivsed mudelid
Osa number
2SB1216S-TL-E
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
1071
DiGi OSANUMBER
2SB1216S-TL-E-DG
ÜHIKPRICE
0.27
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
