Tootja Toote Number:
2SB1215S-E
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2SB1215S-E-DG
Kirjeldus:
TRANS PNP 100V 3A TP
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventuur:
12836457
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SB1215S-E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
PNP
Praegune - kollektor (Ic) (max)
3 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 500mA, 5V
Võimsus - Max
1 W
Sagedus - üleminek
130MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tarnija seadme pakett
TP
Põhitoote number
2SB1215
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SB1215S-E
ONSONS2SB1215S-E
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BC32716TA
TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
BD238S
TRANS PNP 80V 2A TO126-3
2SC4135S-E
TRANS NPN 100V 2A TP
