Tootja Toote Number:
2N7002ET1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
2N7002ET1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventuur:
528264 tk Uus Originaal Laos
12834485
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2N7002ET1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
26.7 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300mW (Tj)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-23-3 (TO-236)
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
2N7002
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2N7002ET1G-DG
2N7002ET1GOSDKR
2N7002ET1GOSCT
2832-2N7002ET1G
2156-2N7002ET1G
2N7002ET1GOSTR
ONSONS2N7002ET1G
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
ATP202-TL-H
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
BFL4007-1E
MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220F-3FS
5HP01M-TL-E
MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP
