PDTA123YMB315
Tootja Toote Number:

PDTA123YMB315

Product Overview

Tootja:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Osanumber:

PDTA123YMB315-DG

Kirjeldus:

TRANS PREBIAS
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12947593
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
3OIX
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

PDTA123YMB315 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik, eelsoojendatud bipolaarsed transistorrid
Tootja
NXP Semiconductors
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
PNP - Pre-Biased
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100 mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Takisti - alus (R1)
2.2 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
10 kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 5mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA
Sagedus - üleminek
180 MHz
Võimsus - Max
250 mW
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SC-101, SOT-883
Tarnija seadme pakett
DFN1006B-3

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
PDTA123YMB
Tehnilised lehed
PDTA123YMB315
HTML andmeleht
PDTA123YMB315-DG

Lisainfo

Muud nimed
2156-PDTA123YMB315
NEXNXPPDTA123YMB315
Standardpakett
11,225

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
nxp-semiconductors

PDTC144TU115

TRANS PREBIAS

nxp-semiconductors

PDTA123TMB,315

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nxp-semiconductors

PDTC123ET,215

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23

nxp-semiconductors

PDTA114TM315

TRANS PREBIAS