Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
PMV55ENEAR
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
PMV55ENEAR-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 3.1A (Ta) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventuur:
4625 tk Uus Originaal Laos
12830229
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
PMV55ENEAR Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Nexperia
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.1A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
646 pF @ 30 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-236AB
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
PMV55
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
PMV55ENEA
Tehnilised lehed
PMV55ENEAR
HTML andmeleht
PMV55ENEAR-DG
Lisainfo
Muud nimed
568-12973-6-DG
1727-2534-2-DG
568-12973-1
1727-2534-1-DG
934068714215
PMV55ENEAR-DG
1727-PMV55ENEARTR
568-62973-6
1727-2534-2
1727-2534-1
1727-2534-6-DG
1727-2534-6
1727-PMV55ENEARDKR
568-62973-6-DG
5202-PMV55ENEARTR
568-12973-2-DG
568-12973-1-DG
1727-PMV55ENEARCT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
PHK12NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 11.8A 8SO
BUK9Y72-80E,115
MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
PMZB950UPELYL
MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
PSMN1R2-25YL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56