Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
PMPB8XNX
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
PMPB8XNX-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 10.1A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventuur:
5000 tk Uus Originaal Laos
13140423
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
PMPB8XNX Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Nexperia
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10.1A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1696 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
DFN2020MD-6
Pakett / ümbris
6-UDFN Exposed Pad
Põhitoote number
PMPB8
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
PMPB8XN
Lisainfo
Muud nimed
1727-PMPB8XNXTR
1727-PMPB8XNXCT
5202-PMPB8XNXTR
1727-PMPB8XNXDKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
PSMNR60-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
PMV19XNEAR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
PSMN3R9-100YSFX
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
PMPB16EPX
MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6