Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
PMN25ENEX
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
PMN25ENEX-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventuur:
3000 tk Uus Originaal Laos
12829855
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
PMN25ENEX Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Nexperia
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6.1A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
24mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
597 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
6-TSOP
Pakett / ümbris
SC-74, SOT-457
Põhitoote number
PMN25
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
PMN25ENE
Tehnilised lehed
PMN25ENEX
HTML andmeleht
PMN25ENEX-DG
Lisainfo
Muud nimed
PMN25ENEX-DG
1727-PMN25ENEXTR
1727-PMN25ENEXCT
1727-PMN25ENEXDKR
5202-PMN25ENEXTR
934660264115
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BUK9606-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BUK9514-55A,127
MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
PSMN1R5-40PS,127
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
BUK6212-40C,118
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK