Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
PHB27NQ10T,118
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
PHB27NQ10T,118-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventuur:
7068 tk Uus Originaal Laos
12831569
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
PHB27NQ10T,118 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Nexperia
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
TrenchMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
50mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1240 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
107W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
PHB27NQ10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
PHB27NQ10T
Tehnilised lehed
PHB27NQ10T,118
HTML andmeleht
PHB27NQ10T,118-DG
Lisainfo
Muud nimed
1727-4763-1
1727-4763-2
PHB27NQ10T /T3-DG
1727-4763-6
5202-PHB27NQ10T,118TR
PHB27NQ10T,118-DG
568-5940-1
568-5940-2
568-5940-6-DG
568-5940-6
PHB27NQ10T /T3
934055809118
568-5940-2-DG
568-5940-1-DG
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BUK9620-55A,118
MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
BSC0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
PMN16XNEX
MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
AUIRFS8408-7TRR
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK