Tootja Toote Number:
PEMB1,115
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
PEMB1,115-DG
Kirjeldus:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventuur:
12831145
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
PEMB1,115 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
Nexperia
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
22kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
22kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 5mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA
Sagedus - üleminek
-
Võimsus - Max
300mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
SOT-666
Põhitoote number
PEMB1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
PEMB1 T/R-DG
PEMB1 T/R
2156-PEMB1,115-1727
934056869115
Standardpakett
4,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
RN2903FE(TE85L,F)
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
3450
DiGi OSANUMBER
RN2903FE(TE85L,F)-DG
ÜHIKPRICE
0.04
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RN2908FE(TE85L,F)
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
7
DiGi OSANUMBER
RN2908FE(TE85L,F)-DG
ÜHIKPRICE
0.04
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
PUMB13,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PIMH9,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
PUMD48/ZLH
TRANS PREBIAS