Tootja Toote Number:
PDTD113EQAZ
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
PDTD113EQAZ-DG
Kirjeldus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventuur:
12830902
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
PDTD113EQAZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik, eelsoojendatud bipolaarsed transistorrid
Tootja
Nexperia
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN - Pre-Biased
Praegune - kollektor (Ic) (max)
500 mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Takisti - alus (R1)
1 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
1 kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
210 MHz
Võimsus - Max
325 mW
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
3-XDFN Exposed Pad
Tarnija seadme pakett
DFN1010D-3
Põhitoote number
PDTD113
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
5202-PDTD113EQAZTR
NEXNXPPDTD113EQAZ
2156-PDTD113EQAZ-NEX
934069263147
Standardpakett
5,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
PDTA124EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
PBRP113ET,215
TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
PDTA114EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
