Tootja Toote Number:
BST82,235
Product Overview
Tootja:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Osanumber:
BST82,235-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventuur:
20973 tk Uus Originaal Laos
12831677
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
BST82,235 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Nexperia
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
TrenchMOS™
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
190mA (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V
Rds sees (max) @ id, vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
40 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
830mW (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-236AB
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
BST82
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
933733110235
1727-BST82,235TR
5202-BST82,235TR
BST82,235-DG
1727-BST82,235CT
1727-BST82,235DKR
BST82 /T3-DG
BST82 /T3
Standardpakett
10,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
ZVN3310FTA
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
6862
DiGi OSANUMBER
ZVN3310FTA-DG
ÜHIKPRICE
0.19
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
BSS123LT1G
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
217861
DiGi OSANUMBER
BSS123LT1G-DG
ÜHIKPRICE
0.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
PHP18NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
BUK9275-100A,118
MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
BUK96180-100A,118
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
