Tootja Toote Number:
JANTXV2N6790
Product Overview
Tootja:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Osanumber:
JANTXV2N6790-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventuur:
12928074
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
JANTXV2N6790 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Microsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
850mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
800mW (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Military
Kvalifikatsiooni
MIL-PRF-19500/555
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-205AF (TO-39)
Pakett / ümbris
TO-205AF Metal Can
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
150-JANTXV2N6790
JANTXV2N6790-MIL
JANTXV2N6790-DG
Standardpakett
1
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO6401AL
MOSFET P-CH 30V 6TSOP
NTMFS5C410NLT3G
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
JANTX2N6788U
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC