Tootja Toote Number:
JANS2N6251T1
Product Overview
Tootja:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Osanumber:
JANS2N6251T1-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 350V 10A TO254AA
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 10 A 6 W Through Hole TO-254AA
Inventuur:
12929799
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
JANS2N6251T1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Microsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
10 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
350 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1.5V @ 1.67A, 10A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1mA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
6 @ 10A, 3V
Võimsus - Max
6 W
Sagedus - üleminek
-
Töötemperatuur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Klassi
Military
Kvalifikatsiooni
MIL-PRF-19500/510
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Tarnija seadme pakett
TO-254AA
Põhitoote number
2N6251
Lisainfo
Muud nimed
1086-16191-MIL
150-JANS2N6251T1
1086-16191-DG
1086-16191
Standardpakett
1
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
JANTX2N3902
TRANS NPN 400V 3.5A TO204AA
JAN2N3716
TRANS NPN 80V 10A TO3
CP327V-CZTA27-CT
TRANS NPN DARL 60V 0.5A DIE