Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
APT25SM120B
Product Overview
Tootja:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Osanumber:
APT25SM120B-DG
Kirjeldus:
SICFET N-CH 1200V 25A TO247
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Inventuur:
Küsi hinda veebis
13261549
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
APT25SM120B Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Microsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
SiCFET (Silicon Carbide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
20V
Rds sees (max) @ id, vgs
175mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
72 nC @ 20 V
VGS (max)
+25V, -10V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
175W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247
Pakett / ümbris
TO-247-3
Lisainfo
Muud nimed
APT25SM120B-ND
150-APT25SM120B
Standardpakett
1
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
APT30M19JVFR
MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
APT11F80B
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
APT20M11JFLL
MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP
APT42F50S
MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK