2N6770

Tootja Toote Number:

2N6770

Product Overview

Tootja:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Osanumber:

2N6770-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 500V 12A TO3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

13258432

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

2N6770 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Microsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

12A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

120 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3

Pakett / ümbris

TO-204AE

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

2N6764,66,68,70

Lisainfo

Muud nimed

150-2N6770

2N6770-ND

Standardpakett

1

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

RoHS non-compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

microchip-technology

MSC035SMA070S

MOSFET N-CH 700V D3PAK

microsemi

APT9F100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

microchip-technology

APT84M50L

MOSFET N-CH 500V 84A TO264