2N6764T1
Tootja Toote Number:

2N6764T1

Product Overview

Tootja:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Osanumber:

2N6764T1-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 38A TO3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis
13250872
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

2N6764T1 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Microsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
65mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3
Pakett / ümbris
TO-204AE
Põhitoote number
2N6764

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
2N6764,66,68,70

Lisainfo

Muud nimed
150-2N6764T1
2N6764T1-ND
Standardpakett
1

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
microchip-technology

APT100M50J

MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

microsemi

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE

microsemi

2N6756

MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

microchip-technology

APT6013LLLG

MOSFET N-CH 600V 43A TO264