Tootja Toote Number:

VMO550-01F

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

VMO550-01F-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 590A (Tc) 2200W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12821585

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

VMO550-01F Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

-

Seeria

HiPerFET™

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

590A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

2.1mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6V @ 110mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

2000 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

50000 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2200W (Tc)

Töötemperatuur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Chassis Mount

Tarnija seadme pakett

Y3-DCB

Pakett / ümbris

Y3-DCB

Põhitoote number

VMO550

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Standardpakett

2

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

littelfuse

IXFH160N15T

MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD

littelfuse

IXFH18N60X

MOSFET N-CH 600V 18A TO247

infineon-technologies

AUIRF1404S

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK