Tootja Toote Number:
IXTY2N65X2
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTY2N65X2-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12907800
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTY2N65X2 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Ultra X2
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
180 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
55W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
IXTY2
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPD80R2K0P7ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
67
DiGi OSANUMBER
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STD4N62K3
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
5433
DiGi OSANUMBER
STD4N62K3-DG
ÜHIKPRICE
0.73
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FDD5N60NZTM
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
45384
DiGi OSANUMBER
FDD5N60NZTM-DG
ÜHIKPRICE
0.40
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF820ALPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IXTP44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB
IRFR9120TRR
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
