Tootja Toote Number:
IXTY01N100
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTY01N100-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
24548 tk Uus Originaal Laos
12820765
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTY01N100 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1000 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
100mA (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
80Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
54 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
25W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
IXTY01
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
IXTY01N100TR
IXTY01N100TR-DG
IXTY01N100CT-DG
490458
IXTY01N100TRINACTIVE
IXTY01N100DKR-DG
Q3218405
IXTY01N100DKR
IXTY01N100DKRINACTIVE
IXTY01N100CT
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTP90N15T
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
IXTF2N300P3
MOSFET N-CH 3000V 1.6A I4PAC
IXTA4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
