Tootja Toote Number:
IXTT90P10P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTT90P10P-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventuur:
2 tk Uus Originaal Laos
12819971
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTT90P10P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
PolarP™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
25mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
462W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-268AA
Pakett / ümbris
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Põhitoote number
IXTT90
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
IXFV30N60PS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
IXFV22N60PS
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS-220SMD
