Tootja Toote Number:
IXTT50P10
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTT50P10-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 100 V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventuur:
12820533
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTT50P10 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
55mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4350 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-268AA
Pakett / ümbris
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Põhitoote number
IXTT50
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXKP20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
IXKT70N60C5-TRL
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
IXFT100N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV