IXTT36N50P

Tootja Toote Number:

IXTT36N50P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTT36N50P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 500V 36A TO268

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 500 V 36A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventuur:

247 tk Uus Originaal Laos

12910870

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTT36N50P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

36A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

170mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

85 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

5500 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

540W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-268AA

Pakett / ümbris

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Põhitoote number

IXTT36

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Andmelehed

IXT(H,Q,T,V)36N50P(S) Building, Home Automation Appl Guide

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

IRF530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

vishay-siliconix

IRLU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

vishay-siliconix

IRL510PBF

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

vishay-siliconix

IRLR014TRPBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK