IXTQ86N20T

Tootja Toote Number:

IXTQ86N20T

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTQ86N20T-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 86A TO3P

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 86A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12820516

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTQ86N20T Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

Trench

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

86A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

29mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

90 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

4500 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

480W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3P

Pakett / ümbris

TO-3P-3, SC-65-3

Põhitoote number

IXTQ86

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXT(A,P,Q)86N20T

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

IXFT58N20Q TRL

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

littelfuse

IXFN120N65X2

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

littelfuse

IXTT8P50

MOSFET P-CH 500V 8A TO268

littelfuse

IXTA44P15T-TRL

MOSFET P-CH 150V 44A TO263