IXTQ182N055T
Tootja Toote Number:

IXTQ182N055T

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTQ182N055T-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12821951
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXTQ182N055T Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
TrenchMV™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
55 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
182A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
360W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3P
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
IXTQ182

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IXT(H,Q)182N055T
Tehnilised lehed
IXTQ182N055T
HTML andmeleht
IXTQ182N055T-DG

Lisainfo

Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
IXTH260N055T2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
3
DiGi OSANUMBER
IXTH260N055T2-DG
ÜHIKPRICE
3.89
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B

littelfuse

IXTH52P10P

MOSFET P-CH 100V 52A TO247

littelfuse

IXFN210N30X3

MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B

littelfuse

IXFC22N60P

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220