Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXTP76N25T
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTP76N25T-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 76A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
3 tk Uus Originaal Laos
12820182
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTP76N25T Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Trench
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
76A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
39mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
460W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IXTP76
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXT(A,H,P,Q,T)76N25T
Tehnilised lehed
IXTP76N25T
HTML andmeleht
IXTP76N25T-DG
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFB4229PBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
993
DiGi OSANUMBER
IRFB4229PBF-DG
ÜHIKPRICE
1.48
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFI4229PBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
411
DiGi OSANUMBER
IRFI4229PBF-DG
ÜHIKPRICE
1.90
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTQ120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
IXFN90N85X
MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
IXTA3N50P
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO263
IXFA38N30X3
MOSFET N-CH 300V 38A TO263