IXTP450P2
Tootja Toote Number:

IXTP450P2

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTP450P2-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

62 tk Uus Originaal Laos
12910327
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXTP450P2 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
PolarP2™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
330mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2530 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IXTP450

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IXTP/TQ/TH450P2
Tehnilised lehed
IXTP450P2
HTML andmeleht
IXTP450P2-DG

Lisainfo

Muud nimed
-IXTP450P2
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
vishay-siliconix

IRFR1N60ATRR

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

IRFP254PBF

MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3

vishay-siliconix

IRF9Z24STRRPBF

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP17N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3