IXTP10P15T

Tootja Toote Number:

IXTP10P15T

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTP10P15T-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 150 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

56 tk Uus Originaal Laos

12821053

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTP10P15T Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

TrenchP™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

150 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

10A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

350mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

36 nC @ 10 V

VGS (max)

±15V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2210 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

83W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IXTP10

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXT(Y,A,P)10P15T

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

FDM21-05QC

MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC

littelfuse

IXTY3N60P

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

littelfuse

IXTH48P20P

MOSFET P-CH 200V 48A TO247

littelfuse

IXFN100N65X2

MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B