IXTP05N100

Tootja Toote Number:

IXTP05N100

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTP05N100-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 1000 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

238 tk Uus Originaal Laos

12821807

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTP05N100 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

1000 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

750mA (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

17Ohm @ 375mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

7.8 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

260 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

40W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IXTP05

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFH13N100

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD

littelfuse

IXTY1N120P

MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

littelfuse

IXFH80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD

littelfuse

IXFH170N25X3

MOSFET N-CH 250V 170A TO247